カーボンニュートラルに貢献する8インチSiC仕上装置の市場開拓

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長く続けてきた主業務は大型の円型部品の加工で、そこで積んだ技術と知見を半導体関連装置の部品づくりへ回していると記されている。いま並ぶ品目は、ウエハの研磨に使うCMPパッドの加工装置と、その溝精度を確かめる検査装置、単結晶のSiC基板と貼り合わせによる基板、そしてインゴットである。計画名の仕上装置は、この二つの系統が重なる位置にある。研磨は削る側の道具と削られる側の材料が同時に動く工程で、道具の面の状態がそのまま仕上がりの平らさへ移る。炭化ケイ素は硬いうえに化学の面でも安定しているため、力任せに削ると傷と変質の層が残り、後で作る素子の働きを落とす。口径が大きくなるほど中心と外周で当たり方が変わるので、面の中をそろえる仕組みが要になる。厚みは削り切ってしまえば戻せない。どこで止めるかを測りながら決める段も、同じ装置の内側へ入ってくる。

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